“Qorvo推出六款全新50V氮化镓（GaN）晶体管QPD1009和QPD1010，以及QPD1008（L）和QPD1015（L），专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。 ” Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，推出六款全新50V氮化镓（GaN）晶体管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008（L）和QPD1015（L），专门设计用于优化商业用雷达、通信系统及航空电子应用的功率性能。 Qorvo 国防与航空航天产品总经理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶体管系列通过提供更高功率增益和功率附加效率来提升系统性能。Qorvo可以更好地实现相位阵列雷达等先进设备的要求，提供更高性能，同时管理好尺寸、成本和功率。” Qorvo的全新50V GaN晶体管系列可通过更出色的系统级效率大幅节省操作和系统成本。该系列采用小尺寸和较高阻抗输入/输出引线，可帮助优化雷达、通信、航空电子、宽带放大器和测试仪表的电路板设计。 QPD1009和QPD1010现在采用低成本的3x3mm QFN塑料封装，而QPD1008（L）和QPD1015（L）现在则采用行业标准的热性能增强型NI-360气腔陶瓷封装，提供有耳式和无耳式版本。该GaN晶体管系列的工作功率水平为 10W至125W。 Qorvo是全球领先的GaN RF供应商*。自1999年起，Qorvo 就一直在推动GaN研究和创新，提供经过检验的GaN电路可靠性和紧凑型、高效率产品。Qorvo于2014年完成了GaN on SiC计划。公司还是唯一一家达到制造成熟度（MRL）9级的GaN供应商。Qorvo一直推动GaN产品的下一代系统创新（从直流到Ka频段），凭借其可靠性能、低成本维护和长运行寿命，成功实现从工厂到现场的转变。 Product Psat (W) Freq (GHz) Output Power (P3dB) PAE (%) SS Gain (dB) Packaging (mm) 产品 Psat (W) 频率 (GHz) 输出功率 (P3dB) PAE (%) SS 增益 (dB) 封装 (mm) QPD1009 15 DC-4 42 72 24 3x3 QFN QPD1010 10 DC-4 40 70 25 3x3 QFN QPD1008 125 DC-3.2 51 70 18 Earless NI-360 无耳式 NI-360 QPD1008L 125 DC-3.2 51 70 18 Eared NI-360 有耳式 NI-360 QPD1015 65 DC-3.7 48 70 20 Earless NI-360 无耳式 NI-360 QPD1015L 65 DC-3.7 48 70 20 Eared NI-360 有耳式 NI-360
