晶圆切割与准备
在芯片制造过程中，首先需要准备一块高纯度的硅晶体，这块硅晶体会成为整个芯片制造流程的基础。为了将设计好的微电子电路图样转移到硅上，首先要对硅进行精细切割，每个切割出的部分称为一个“晶圆”。然后，对这些晶圆进行化学处理，以去除表面杂质和成分不纯的一层。
光刻技术
光刻是将微电子电路图样精确地雕刻到硅材料上的关键步骤。通过使用激光或紫外线照射技术，将图案影像打印在特殊涂料（即胶版）上，然后用化学溶液腐蚀掉未被涂覆胶版区域，使得未被腐蚀区域形成了所需的电路结构。这一步骤要求极高的精度，因为任何小错误都可能导致整个芯片失效。
沉积与蚀刻
随后，根据设计要求沉积不同物理特性的薄膜，如金属、氧化物等，并通过铝锆气相沉积（CVD）、蒸镀等方法来实现。然后利用石英棒作为掩模，在某些地方以一定速度向下挖掘薄膜，从而形成多层复杂结构。在这个过程中，每一次沉积和蚀刻都是非常细致且精准的事务，每一步都必须严格控制好厚度、形状和位置，以保证最终产品符合预期标准。
金属填充与焊接
完成所有必要层次之后，便开始进行金属填充，即在沟槽中注入导电性良好的金属材料，如铝或铜，用以连接不同的元件。当这些金属填充固化后，就可以进一步加工，将其塑形成所需形式，这通常涉及到多次热处理和机械加工。此外，还需要通过焊接技术将单个组件连接起来，最终构建出完整的集成电路。
封装与测试
最后，在集成电路制作完成后，它们会被封装进塑料或陶瓷壳内，可以提供保护并使其能够更方便地安装到各种设备中。封装后的芯片经过严格测试，包括功能测试、性能测试以及耐久性试验，以确保它们能满足市场需求。在这个环节，检测出来的问题还可能需要进一步修复或者重新生产新的芯片。
