在芯片制造过程中，金属化工艺是非常关键的一步，它涉及到将电路图上的路径转化为实际的物理结构。这个过程通常包括多个步骤，每一步都需要精确控制以保证最终产品的质量。
5.1 铜蚀刻与铝线形成
首先，通过光刻技术在硅上雕刻出预定的导电通道和接触点。这一层通常由薄膜沉积而成，然后用激光或电子束进行曝光，使得不希望的地方被化学物质侵蚀掉，从而形成所需的形状。接着，这些洞口会被填充成金属材料，如铝或铜，这就是为什么我们常说的“铝线”或者“铜线”。
5.2 银烷沉积与热处理
为了提高导电性能和耐腐蚀性，我们需要在这些金属表面再次进行沉积。在这一步骤中，使用银烷等合金材料进行沉积，并且通过热处理使其更好地结合到基底上。这一步对于确保最后的导电性能至关重要。
5.3 铜迁移与保护层涂覆
随后，将整个芯片施加一种称作氢氟酸溶液（HF）溶液来实现对原有的金属结构——如已经沉积好的银烷——进行迁移，即从一个地方移动到另一个地方，从而完成复杂网络中的连接工作。此时，如果没有保护措施，对于敏感区域可能造成损害，因此还需要涂覆一些保护层以防止意外损坏。
5.4 冲击打磨与清洁
冲击打磨是一种机械方式，用来去除任何不必要的残留物，同时也能进一步改善表面的平滑度。然后通过清洗来去除所有污染物，以准备下一步操作，比如封装前的焊接或者其他测试流程。
总结：
本文介绍了芯片制作流程中的金属化工艺部分，尤其是如何通过各种方法将设计上的路径转换为物理上的结构，以及各个环节之间相互作用和依赖关系。本阶段对于整个晶体管集成电路板（IC）的性能至关重要，因为它直接影响着信号传输效率、稳定性以及整体可靠性。
