在科技的高速发展中，芯片扮演着不可或缺的角色。尤其是在2015年之后，随着摩尔定律放缓和数据中心、人工智能（AI）等新兴应用对芯片性能、功耗、内存带宽的更高要求，先进封装技术成为了行业内关注的焦点。这是为什么？
首先，我们需要了解的是，在很长一段时间里，芯片性能提升和功耗降低主要得益于半导体制造工艺的进步。但从16nm到7nm，这些工艺成本急剧上升。然而，与之相比，数据中心和AI对算力、高效能以及低成本有更高需求。
巨大的市场需求促使业界寻求解决方案。在此背景下，一些晶圆代工厂如台积电开始涉足封装领域，其技术涵盖了2D和3D，并且面向不同类型的应用，如手机、服务器以及网络。
台积电不仅投入研发先进制造工艺，还在推动先进封装技术。而另一家大晶圆代工厂格罗方德虽然暂时停止了7nm后续工作，但他们也看到了未来封装技术将如何发挥作用。
提到先进封装技术，就不得不提到英特尔。作为IDM（集成设计制造）的公司，它可以实现从晶体管再到系统层面的集成，在封装方面自然具有独特优势。
英特尔集团副总裁兼封装测试开发部门总经理Babak Sabi表示：“我们认为先进多核设计以及半导体制程对于满足多元化计算时代所需至关重要。”
英特尔院士兼技术开发部联合总监Ravi Mahajan进一步指出：“除了提升性能外，对于提高带宽并降低功耗，我们也需要考虑3D堆叠的问题。”
那么，再次提及这个问题，我们就不得不谈论三种微缩方向：垂直互连、高度横向互连以及全方位互连。这三者共同构成了高密度多芯片封裝（MCP）的基础，并为解决带宽、功耗及I/O问题提供了关键基础。
要达到这样的效果，不同的人们采取不同的策略。一方面，有人使用嵌入式多管芯互连桥（EMIB），这是一小块硅提供自由连接性；另一方面，有人采用全方位互连技術（ODI），它利用大通孔直接从基板向顶部裸片供电，从而减少基底晶片中所需硅通孔数量，为有源晶体管释放更多面积。
当然，这一切都不是简单的事物。在选择3D封装前，还必须考虑是否符合系统层面的约束条件或者限制，以及现有架构是否适合使用3D。此外，由于定制化本身复杂，因此在选择3D之前必须进行精准调优，同时还需考虑散热、串扰、应力等问题。
