在现代电子设备中，微型化和高性能是核心竞争力。这些都依赖于一个精细而复杂的过程——芯片制造。这一过程涉及多个阶段，每一步都是对前一环节结果的严格要求。以下，我们将深入探讨芯片制造中的精密工艺，并通过图解来帮助理解每个关键步骤。
1. 设计与规划
1.1 芯片设计软件
总结： 在芯片制造之前，首先需要设计出合适的晶体管布局，这通常由专业的EDA（电子设计自动化）软件完成，如Cadence、Synopsys等。
1.2 设计规则检查 (DRC)
总结： 一旦设计完成，就会进行DRC，以确保所有组件符合预定的尺寸和位置限制，从而避免后续生产上的问题。
2. 制造准备
2.1 硅原料采购与检验
总结： 高纯度硅是整个制程中的基石，因此必须从可靠来源采购并经过严格质量控制。
2.2 晶圆切割技术 (Wafer Sawing)
总结： 这是一种分割大块硅材料成小块晶圆所需的手段。常见的是以机器为主手动辅助或全自动方式进行。
3. 光刻技巧
3.1 基础光刻原理
总结： 光刻是用来在硅上形成电路图案的一系列操作，是整个制程中最重要且耗时最长的一部分。
3.2 多层光刻技术 (Multi-Patterning)
总结: 当单层无法实现复杂结构时，多层光刻成为解决方案，它通过重复使用不同波长光源来实现更复杂的图案。
4.Dry Etching & Wet Etching
Dry Etching
Chemical Vapor Deposition (CVD) etching
Physical Vapor Deposition (PVD) etching
- 总结: Dry etching 是一种利用化学气相沉积(CVD)或物理蒸发沉积(PVD)技术去除材料的一种方法，有助于形成特定形状和大小的小孔洞或薄膜。
Plasma Enhanced CVD (PECVD)
- 总结: PECVD 是一种结合了化学气相沉积(CVD)和プラズ玛增强技巧(Plasma Enhancement)，能够在低温度下快速沉积薄膜，同时提供良好的耐蚀性和机械稳定性。
Atomic Layer Deposition(ALD)
- 总summary: ALD 技术允许极致精确地控制每一层物质厚度，可以用于创建具有特殊特性的纳米级别薄膜结构。
##5.
Wet Etchig
Chemically assisted ion beam etchigng
Summary: Wet etch, also known as chemical wet etch, is a process that uses chemicals to remove materials selectively and efficiently, often used for removing photoresist and other unwanted layers during the manufacturing process.
##6.
Die Attach & Wire Bonding
Die Attach Material Selection
Summary: The die attach material is a critical component of the chip packaging process as it ensures reliable bonding between the chip and the substrate while maintaining thermal conductivity properties.
Wire Bonding Process Overview
Summary: Wire bonding is a widely used interconnect technology in semiconductor packaging that connects individual dies or components together on a printed circuit board using thin gold or aluminum wires.
