【手机之家】6月20日，据外媒最新报道，台积电正在加速推进2nm制程工艺的研发，并计划在2025年实现量产。这一信息是在台积电上周举办的北美技术论坛上公布的，该论坛是公司首次正式宣布了2nm制程工艺量产时间表。值得注意的是，这一新工艺将采用全新的纳米片电晶体架构，它与目前广泛使用的鳍式场效应晶体管（FinFET）技术有着本质区别。
此前，有消息透露台积电已经提交了相关环保评审文件，希望能够在明年上半年顺利通过环评后，即可开始建设新厂房。预计第一期生产线将于2024年底前投入使用。在风险试产阶段进行于2024年，量产则将延至2025年。此举标志着台积电迈向更高层次的集成电路制造能力。
除了台积電，三星电子也正朝着类似的目标前进。据知三星计划在2022年的上半期开始基于3nm芯片设计，而基于2nm芯片的量产则将落在2025年。而且，我们了解到三星未来可能会采用GAA（Gate-All-Around）晶体管技术，这种技术同样可以垂直堆叠，同时兼容现有的CMOS（逻辑门阵列）工艺，从而降低对设备和制造方法升级带来的成本压力。
总结来说，随着科技不断发展，我们即将见证一个全新的智能硬件时代，其中核心驱动器——先进集成电路，将迎来一次重大变革。
