吴汉明院士：在后摩尔时代，追赶者通过多层芯片技术实现了绝佳的发展机会。随着晶体管微缩接近技术极限，摩尔定律讨论进入新阶段。在全球化不可替代的半导体产业链中，集成电路产业链长是主要挑战。中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明教授指出：“后摩尔时代芯片性能提升速度放缓，对追赶者来说，一定是一个机会。”
集成电路产业链长是主要挑战，全球化不可替代
半导体厂商以IDM为主，但设计和制造所需资金日渐攀升，只有少数财力与实力并存的IDM厂商能够继续扩张。为了提高竞争力，不少IDM拆分，垂直细分的Fabless、Foundry等新模式出现，加上上游原材料和生产设备复杂多样。
“集成电路产业面临的主要挑战是产业链太长、太宽。”吴汉明在2021世界半导体大会上说道。他同时指出，光刻机、检测等装备是主要需要攻关方向，而光刻胶、掩膜版、大硅片等材料基本空白。
如果一个国家要改变半导体产业链格局，在国内打造完整的半导体产业链，将耗费巨资。虽然中国没有做过类似的调研，但就中国在全球半导体产业链份额来看，将不亚于美国。
芯片制造工艺面临三大挑战，后摩尔时代是追赶者的好时机
然而，这并不意味着我国发展大力发展集成电路业，最重要的是努力追赶国际先进水平。不过，当下高端芯片制造工艺面临精密图形、三种新材料以及良率提升三个大的挑战。这为中国提供了新的技术方向，如硅-冯范式延续、新兴类硅模式延续3D封装和类脑模式，以及自旋器件或量子计算等新的范式。
这些新的技术方向，是中国半导体发展中的绝佳机会。“许居衍院士曾经列举四类技术方向，其中包括异构单芯片集成技术和紫光国芯SeDRAM直接键合异质集成都是不错的例子。”吴汉明说道。
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