在2021年世界半导体大会暨南京国际半导体博览会上，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明教授发表了重要讲话，他指出：“后摩尔时代芯片性能提升速度放缓，对追赶者来说，一定是一个机会。”
根据戈登·摩尔在1965年提出的集成电路规律，每隔两年晶体管数目将增加一倍。然而，在五十多年的发展之后，随着晶体管微缩逐渐逼近技术极限，我们进入了发展放缓的后摩尔时代。
这一时期，不仅产业继续向前推进需要解决的技术挑战，还为中国半导体的发展带来新机遇。在讨论中，吴汉明提到：“集成电路产业链面临的主要挑战是产业链太长、太宽。”
他进一步解释道：“虽然全球化不可替代，但这并不意味着我国不应该大力发展集成电路产业。我们应当努力追赶国际先进水平。”对于高端芯片制造工艺面临的三大挑战——精密图形、核心挑战新材料和终极挑战提升良率——吴汉明给出了具体分析，并强调“良率提升是最艰难最头疼的挑战”。
与此同时，后摩尔时代，为中国半导体提供了新的技术方向，如硅-冯范式、类硅模式、3D封装和存算一体等，这些都是中国半导体发展中的机遇。例如，“芯盟科技异构单芯片集成技术和紫光国芯SeDRAM直接键合异质集成都是不错的例子”。
总之，后摩尔时代作为一个机会，是对所有追赶国家而言的一个动力，也是创新和合作竞争共同推动行业前行的一种展现。
