在2021年世界半导体大会暨南京国际半导体博览会的开幕式上，中国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明教授指出：“后摩尔时代芯片性能提升速度放缓，对追赶者来说，一定是一个机会。”他提到，这一时期对于集成电路产业链长是主要挑战，全球化不可替代。
吴汉明进一步分析了集成电路产业链的复杂性，并强调了光刻机、检测等装备和材料如光刻胶、掩膜版、大硅片等方面的重要性。尽管国内有中芯国际、华虹宏力在制造方面取得一定进展，但与国际先进水平相比仍存在差距。
谈及美国政府打造本土完全自主可控的半导体生态圈所需成本高达9000亿至12000亿美元并导致产品价格上涨至65%，吴汉明认为中国发展半导体产业面临类似挑战，但没有做过具体评估。然而，由于全球化不可替代，中国需要付出相似的努力来发展自己的半导体产业链。
对于后摩尔时代带来的三大挑战——精密图形、高新材料和良率提升—-吴汉明提出解决方案。他表示，当今先进工艺依赖193nm波长光源曝光20-30nm图形时，物理尺寸模糊问题需要解决。此外，本世纪以来出现64种新材料支持了摩尔定律，而良率提升则是所有企业共同面临的一个难题。
同时，后摩尔时代也为中国提供了新的技术方向，如“硅-冯”范式、新兴类硅模式、3D封装存算一体以及改变状态逻辑运行的新范式（如自旋器件和量子计算）。这些方向都是中国半导体发展中的机遇。“芯盟科技异构单芯片集成技术和紫光国芯SeDRAM直接键合异质集成都是不错的例子。”吴汉明说。
